STL19N60DM2
STL19N60DM2
Modello di prodotti:
STL19N60DM2
fabbricante:
STMicroelectronics
Descrizione:
N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
28126 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
STL19N60DM2.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerFlat™ (8x8) HV
Serie:MDmesh™ DM2
Rds On (max) a Id, Vgs:320 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):90W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:497-16361-6
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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