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STL19N60DM2
STL19N60DM2
Artikelnummer:
STL19N60DM2
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
28126 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
STL19N60DM2.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PowerFlat™ (8x8) HV
Serie:MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs:320 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max):90W (Tc)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:8-PowerVDFN
Andere Namen:497-16361-6
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 600V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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