STL19N60DM2
STL19N60DM2
Número de pieza:
STL19N60DM2
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
28126 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
STL19N60DM2.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerFlat™ (8x8) HV
Serie:MDmesh™ DM2
RDS (Max) @Id, Vgs:320 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):90W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:497-16361-6
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:21nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción detallada:N-Channel 600V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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