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MBT35200MT1G
- Modèle de produit:
- MBT35200MT1G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 58304 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- MBT35200MT1G.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 35V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 310mV @ 20mA, 2A |
| Transistor Type: | PNP |
| Package composant fournisseur: | 6-TSOP |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 625mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SOT-23-6 |
| Autres noms: | MBT35200MT1GOS MBT35200MT1GOS-ND MBT35200MT1GOSTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 25 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 100MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1.5A, 1.5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 2A |
| Numéro de pièce de base: | MBT35200 |
| Email: | [email protected] |
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