MBT35200MT1G
Artikelnummer:
MBT35200MT1G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
58304 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
MBT35200MT1G.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):35V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:310mV @ 20mA, 2A
Transistor-Typ:PNP
Supplier Device-Gehäuse:6-TSOP
Serie:-
Leistung - max:625mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SOT-23-6
Andere Namen:MBT35200MT1GOS
MBT35200MT1GOS-ND
MBT35200MT1GOSTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:25 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:100MHz
detaillierte Beschreibung:Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:100 @ 1.5A, 1.5V
Strom - Collector Cutoff (Max):100nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):2A
Basisteilenummer:MBT35200
Email:[email protected]

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