MBT35200MT1G
Número de pieza:
MBT35200MT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
58304 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
MBT35200MT1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

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Tensión - Colector-emisor (máx):35V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:310mV @ 20mA, 2A
Tipo de transistor:PNP
Paquete del dispositivo:6-TSOP
Serie:-
Potencia - Max:625mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6
Otros nombres:MBT35200MT1GOS
MBT35200MT1GOS-ND
MBT35200MT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:25 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:100MHz
Descripción detallada:Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 1.5A, 1.5V
Corriente - corte del colector (Max):100nA
Corriente - colector (Ic) (Max):2A
Número de pieza base:MBT35200
Email:[email protected]

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