MBT35200MT1G
Modelo do Produto:
MBT35200MT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
58304 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
MBT35200MT1G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):35V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:310mV @ 20mA, 2A
Tipo transistor:PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-TSOP
Série:-
Power - Max:625mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-23-6
Outros nomes:MBT35200MT1GOS
MBT35200MT1GOS-ND
MBT35200MT1GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:25 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:100MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 1.5A, 1.5V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA
Atual - Collector (Ic) (Max):2A
Número da peça base:MBT35200
Email:[email protected]

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