2SC3669-Y(T2OMI,FM est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour 2SC3669-Y(T2OMI,FM, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour 2SC3669-Y(T2OMI,FM par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez 2SC3669-Y(T2OMI,FM avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
2SC3669-Y(T2OMI,FM
- Modèle de produit:
- 2SC3669-Y(T2OMI,FM
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- TRANS NPN 2A 80V SC71
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 48029 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 2SC3669-Y(T2OMI,FM.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 50mA, 1A |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | MSTM |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1W |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | SC-71 |
| Autres noms: | 2SC3669-Y(T2OMIFM 2SC3669YT2OMIFM |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 100MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 2A 100MHz 1W Through Hole MSTM |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 70 @ 500mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 1µA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes 2SC3669-Y(T2OMI,FM
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement