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HN1A01FU-GR,LF
- Modèle de produit:
- HN1A01FU-GR,LF
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 29334 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- HN1A01FU-GR,LF.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Transistor Type: | 2 PNP (Dual) |
| Package composant fournisseur: | US6 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 200mW |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Autres noms: | HN1A01FU-GRLFCT HN1A01FUGRLFTCT HN1A01FUGRLFTCT-ND |
| Température de fonctionnement: | 125°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 80MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 2mA, 6V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
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