HN1A01FU-GR,LF
HN1A01FU-GR,LF
รุ่นผลิตภัณฑ์:
HN1A01FU-GR,LF
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ:
TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
29334 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
HN1A01FU-GR,LF.pdf

บทนำ

HN1A01FU-GR,LF พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ HN1A01FU-GR,LF เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ HN1A01FU-GR,LF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ HN1A01FU-GR,LF ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):50V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:300mV @ 10mA, 100mA
ประเภททรานซิสเตอร์:2 PNP (Dual)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:US6
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:200mW
บรรจุภัณฑ์:Cut Tape (CT)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ชื่ออื่น:HN1A01FU-GRLFCT
HN1A01FUGRLFTCT
HN1A01FUGRLFTCT-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:125°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ความถี่ - การเปลี่ยน:80MHz
คำอธิบายโดยละเอียด:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:200 @ 2mA, 6V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):100nA (ICBO)
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):150mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest