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HN1A01FU-GR,LF
- Artikelnummer:
- HN1A01FU-GR,LF
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 29334 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- HN1A01FU-GR,LF.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Transistor-Typ: | 2 PNP (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse: | US6 |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 200mW |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Andere Namen: | HN1A01FU-GRLFCT HN1A01FUGRLFTCT HN1A01FUGRLFTCT-ND |
| Betriebstemperatur: | 125°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 80MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 200 @ 2mA, 6V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
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