HN1A01FU-GR,LF
HN1A01FU-GR,LF
Modelo do Produto:
HN1A01FU-GR,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
29334 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
HN1A01FU-GR,LF.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor:2 PNP (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:US6
Série:-
Power - Max:200mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:HN1A01FU-GRLFCT
HN1A01FUGRLFTCT
HN1A01FUGRLFTCT-ND
Temperatura de operação:125°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:80MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:200 @ 2mA, 6V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):150mA
Email:[email protected]

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