Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - tableaux, pré bia > DMG563020R
DMG563020R
DMG563020R
Modèle de produit:
DMG563020R
Fabricant:
Panasonic
La description:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
57084 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
DMG563020R.pdf
Enquête

introduction

DMG563020R est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour DMG563020R, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour DMG563020R par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez DMG563020R avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:SMini5-F3-B
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):22 kOhms
Résistance - Base (R1):22 kOhms
Puissance - Max:150mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Autres noms:DMG563020R-ND
DMG563020RTR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:11 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini5-F3-B
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:DMG56302
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes DMG563020R

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
DMG563H50R Image DMG563H50R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 Enquête
DMG4N65CT Diodes Incorporated MOSFET N CH 650V 4A TO220-3 Enquête
DMG564H20R Image DMG564H20R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 Enquête
DMG4N60SCT Diodes Incorporated MOSFET NCH 600V 4.5A TO220 Enquête
DMG4932LSD-13 Image DMG4932LSD-13 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO Enquête
DMG4N60SK3-13 Image DMG4N60SK3-13 Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T& Enquête
DMG504010R Image DMG504010R Panasonic TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6 Enquête
DMG563H10R Image DMG563H10R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 Enquête
DMG564010R Image DMG564010R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 Enquête
DMG5640N0R Image DMG5640N0R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 Enquête
DMG564040R Image DMG564040R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 Enquête
DMG564030R Image DMG564030R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 Enquête
DMG4822SSDQ-13 Image DMG4822SSDQ-13 Diodes Incorporated MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8 Enquête
DMG563010R Image DMG563010R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 Enquête
DMG564050R Image DMG564050R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 Enquête
DMG564060R Image DMG564060R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 Enquête
DMG4N60SJ3 Diodes Incorporated MOSFET NCH 600V 3A TO251 Enquête
DMG4N65CTI Image DMG4N65CTI Diodes Incorporated MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB Enquête
DMG563H40R Image DMG563H40R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 Enquête
DMG4822SSD-13 Image DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO Enquête

Latest Nouvelles