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DMG4N60SJ3
- Modèle de produit:
- DMG4N60SJ3
- Fabricant:
- Diodes Incorporated
- La description:
- MOSFET NCH 600V 3A TO251
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 21201 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- DMG4N60SJ3.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-251 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.5 Ohm @ 2A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 41W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 30 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 532pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 14.3nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 600V |
| Description détaillée: | N-Channel 600V 3A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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