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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMG4N60SK3-13
DMG4N60SK3-13
DMG4N60SK3-13
Modèle de produit:
DMG4N60SK3-13
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&
Statut sans plomb:
Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
46672 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
DMG4N60SK3-13.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-252
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.3 Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max):48W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:DMG4N60SK3-13DITR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:30 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:532pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:14.3nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 3.7A (Tc) 48W (Ta) Surface Mount TO-252
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.7A (Tc)
Email:[email protected]

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