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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - tableaux, pré bia > DMG563H10R
DMG563H10R
DMG563H10R
Modèle de produit:
DMG563H10R
Fabricant:
Panasonic
La description:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
22633 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
DMG563H10R.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:SMini5-F3-B
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):47 kOhms, 10 kOhms
Résistance - Base (R1):47 kOhms, 4.7 kOhms
Puissance - Max:150mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Autres noms:DMG563H10R-ND
DMG563H10RTR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:11 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini5-F3-B
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:DMG563
Email:[email protected]

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