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DMG563020R
- Modello di prodotti:
- DMG563020R
- fabbricante:
- Panasonic
- Descrizione:
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 57084 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- DMG563020R.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SMini5-F3-B |
| Serie: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2): | 22 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 22 kOhms |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Altri nomi: | DMG563020R-ND DMG563020RTR |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 11 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | - |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini5-F3-B |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 60 @ 5mA, 10V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Numero di parte base: | DMG56302 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per DMG563020R
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
DMG563H50R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 | Inchiesta |
 |
DMG4N65CT | Diodes Incorporated | MOSFET N CH 650V 4A TO220-3 | Inchiesta |
 |
DMG564H20R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 | Inchiesta |
|
DMG4N60SCT | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 600V 4.5A TO220 | Inchiesta |
 |
DMG4932LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO | Inchiesta |
 |
DMG4N60SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T& | Inchiesta |
|
DMG504010R | Panasonic | TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6 | Inchiesta |
|
DMG563H10R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 | Inchiesta |
|
DMG564010R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 | Inchiesta |
|
DMG5640N0R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 | Inchiesta |
|
DMG564040R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 | Inchiesta |
|
DMG564030R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 | Inchiesta |
|
DMG4822SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8 | Inchiesta |
|
DMG563010R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 | Inchiesta |
|
DMG564050R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 | Inchiesta |
|
DMG564060R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 | Inchiesta |
|
DMG4N60SJ3 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 600V 3A TO251 | Inchiesta |
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DMG4N65CTI | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB | Inchiesta |
|
DMG563H40R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 | Inchiesta |
|
DMG4822SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO | Inchiesta |
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