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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > DMG5640N0R
DMG5640N0R
DMG5640N0R
Modello di prodotti:
DMG5640N0R
fabbricante:
Panasonic
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
49448 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
DMG5640N0R.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:SMini6-F3-B
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-SMD, Flat Leads
Altri nomi:DMG5640N0R-ND
DMG5640N0RTR
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:11 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:-
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini6-F3-B
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Numero di parte base:DMG5640N
Email:[email protected]

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