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DMG6602SVTQ-7
- Modello di prodotti:
- DMG6602SVTQ-7
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 22587 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- DMG6602SVTQ-7.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.3V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSOT-26 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 60 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Potenza - Max: | 840mW |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi: | DMG6602SVTQ-7DIDKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 20 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 400pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-26 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.4A, 2.8A |
| Email: | [email protected] |
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