العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف، قبل منح > DMG5640N0R
DMG5640N0R
DMG5640N0R
رقم القطعة:
DMG5640N0R
الصانع:
Panasonic
وصف:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
49448 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
DMG5640N0R.pdf
تحقيق

المقدمة

DMG5640N0R متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DMG5640N0R، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DMG5640N0R عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DMG5640N0R مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:250mV @ 500µA, 10mA
نوع الترانزستور:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:SMini6-F3-B
سلسلة:-
المقاوم - قاعدة باعث (R2):47 kOhms
المقاوم - قاعدة (R1):4.7 kOhms
السلطة - ماكس:150mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-SMD, Flat Leads
اسماء اخرى:DMG5640N0R-ND
DMG5640N0RTR
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:11 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
تردد - تحول:-
وصف تفصيلي:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini6-F3-B
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:80 @ 5mA, 10V
الحالي - جامع القطع (ماكس):500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
رقم جزء القاعدة:DMG5640N
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لDMG5640N0R

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
DMG564010R Image DMG564010R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 تحقيق
DMG564H30R Image DMG564H30R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 تحقيق
DMG563H50R Image DMG563H50R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 تحقيق
DMG6601LVT-7 Image DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT تحقيق
DMG6602SVTQ-7 Image DMG6602SVTQ-7 Diodes Incorporated MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 تحقيق
DMG563010R Image DMG563010R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 تحقيق
DMG6301UDW-7 Image DMG6301UDW-7 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 تحقيق
DMG563H40R Image DMG563H40R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 تحقيق
DMG6402LDM-7 Image DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26 تحقيق
DMG564040R Image DMG564040R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 تحقيق
DMG564060R Image DMG564060R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 تحقيق
DMG6602SVT-7 Image DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 تحقيق
DMG564050R Image DMG564050R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 تحقيق
DMG5802LFX-7 Image DMG5802LFX-7 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN تحقيق
DMG564H20R Image DMG564H20R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 تحقيق
DMG6301UDW-13 Image DMG6301UDW-13 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 تحقيق
DMG563020R Image DMG563020R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 تحقيق
DMG563H10R Image DMG563H10R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 تحقيق
DMG6402LVT-7 Image DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 تحقيق
DMG564030R Image DMG564030R Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 تحقيق

Latest الأخبار