DMG564060R متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DMG564060R، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DMG564060R عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DMG564060R مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DMG564060R
- رقم القطعة:
- DMG564060R
- الصانع:
- Panasonic
- وصف:
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 44871 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DMG564060R.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 50V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 250mV @ 500µA, 10mA |
| نوع الترانزستور: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SMini6-F3-B |
| سلسلة: | - |
| المقاوم - قاعدة باعث (R2): | - |
| المقاوم - قاعدة (R1): | 4.7 kOhms |
| السلطة - ماكس: | 150mW |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 6-SMD, Flat Leads |
| اسماء اخرى: | DMG564060RCT |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 11 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | - |
| وصف تفصيلي: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini6-F3-B |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 160 @ 5mA, 10V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 500nA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 100mA |
| رقم جزء القاعدة: | DMG56406 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMG564060R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 | تحقيق |
 |
DMG504010R | Panasonic | TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6 | تحقيق |
|
DMG5640N0R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 | تحقيق |
|
DMG564030R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 | تحقيق |
 |
DMG5802LFX-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN | تحقيق |
 |
DMG563H10R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 | تحقيق |
|
DMG563H50R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 | تحقيق |
|
DMG564050R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 | تحقيق |
|
DMG564010R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 | تحقيق |
 |
DMG6301UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 | تحقيق |
|
DMG563H40R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 | تحقيق |
|
DMG564H20R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 | تحقيق |
|
DMG563010R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 | تحقيق |
|
DMG6601LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT | تحقيق |
 |
DMG6402LDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26 | تحقيق |
|
DMG563020R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 | تحقيق |
|
DMG564H30R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 | تحقيق |
|
DMG6301UDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 | تحقيق |
|
DMG6602SVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 | تحقيق |
|
DMG564040R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل