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BSC046N02KS G
- Modèle de produit:
- BSC046N02KS G
- La description:
- MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 42993 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- BSC046N02KS G.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Test: | 4100pF @ 10V |
| Tension - Ventilation: | PG-TDSON-8 |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.6 mOhm @ 50A, 4.5V |
| Vgs (Max): | 2.5V, 4.5V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries: | OptiMOS™ |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 19A (Ta), 80A (Tc) |
| Polarisation: | 8-PowerTDFN |
| Autres noms: | BSC046N02KS G-ND BSC046N02KS GTR BSC046N02KSG BSC046N02KSGAUMA1 SP000379666 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Référence fabricant: | BSC046N02KS G |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 27.6nC @ 4.5V |
| type de IGBT: | ±12V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.2V @ 110µA |
| Fonction FET: | N-Channel |
| Description élargie: | N-Channel 20V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Tension drain-source (Vdss): | - |
| La description: | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 20V |
| Ratio de capacité: | 2.8W (Ta), 48W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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