BSC046N02KS G
BSC046N02KS G
部品型番:
BSC046N02KS G
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
鉛フリー:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
42993 Pieces
配達時間:
1-2 days
配達時間:
4-8 weeks
データシート:
BSC046N02KS G.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Original, tested
原産国 Contact us
タグコード Send by email
電圧 - テスト:4100pF @ 10V
電圧 - ブレークダウン:PG-TDSON-8
同上@ VGS(TH)(最大):4.6 mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs(最大):2.5V, 4.5V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ:OptiMOS™
RoHSステータス:Tape & Reel (TR)
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):19A (Ta), 80A (Tc)
偏光:8-PowerTDFN
他の名前:BSC046N02KS G-ND
BSC046N02KS GTR
BSC046N02KSG
BSC046N02KSGAUMA1
SP000379666
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):3 (168 Hours)
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
製造元の部品番号:BSC046N02KS G
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:27.6nC @ 4.5V
IGBTタイプ:±12V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:1.2V @ 110µA
FET特長:N-Channel
拡張された説明:N-Channel 20V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
ソース電圧(VDSS)にドレイン:-
説明:MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):20V
静電容量比:2.8W (Ta), 48W (Tc)
Email:[email protected]

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