BSC046N02KS G er tilgængelig nu!LYNTEAM Teknologi er den strømforhandler for BSC046N02KS G, vi har lagrene for øjeblikkelig forsendelse og også tilgængelig i lang tid.Venligst send os din købsplan for BSC046N02KS G via e-mail, vi vil give dig en bedste pris efter din plan.
Køb BSC046N02KS G med LYNTEAM, gem dine penge og tid.
Vores email: [email protected]
BSC046N02KS G
- Varenummer:
- BSC046N02KS G
- Beskrivelse:
- MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
- Blyfri status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antal:
- 42993 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Blytid:
- 4-8 weeks
- Datablad:
- BSC046N02KS G.pdf
Introduktion
specifikationer
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Oprindelsesland | Contact us |
| Mærkningskode | Send by email |
| Spænding - Test: | 4100pF @ 10V |
| Spænding - Opdeling: | PG-TDSON-8 |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.6 mOhm @ 50A, 4.5V |
| Vgs (Max): | 2.5V, 4.5V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 19A (Ta), 80A (Tc) |
| Polarisering: | 8-PowerTDFN |
| Andre navne: | BSC046N02KS G-ND BSC046N02KS GTR BSC046N02KSG BSC046N02KSGAUMA1 SP000379666 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Fabrikantens standard ledetid: | 16 Weeks |
| Producentens varenummer: | BSC046N02KS G |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 27.6nC @ 4.5V |
| IGBT Type: | ±12V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.2V @ 110µA |
| FET-funktion: | N-Channel |
| Udvidet beskrivelse: | N-Channel 20V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Afløb til Source Voltage (VDSS): | - |
| Beskrivelse: | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 |
| Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 20V |
| Kapacitansforhold: | 2.8W (Ta), 48W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Relaterede dele til BSC046N02KS G
Laast News
- Udførelsen af Texas Instruments skal stadig øges, og de to lagerfabrikker skubber nye flashhukommelsesprodukter
- Lokal moden chipvolumen, samsung nand flash hukommelsesproduktionskapacitet nær belastning
- Vishay lancerer miniled emballage høj lysstyrke lille blå og ren grøn led
- Ansonmei lancerede en induktiv positionssensor for markedet for industriel og transport
- Ruisa starter den gamle fabrik for at øge effektenheden, jordskælvet påvirker dram -output mild
- Microchip muliggør produktionskapaciteten for TSMC og øger prisstigninger
- Ruisa lancerede den nye RA0 -serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Melexis lancerer en fuld -integreret induktorafbryderchip
- X-FAB introducerer billedføler tilbage belysningsteknologi for at forbedre CMOS-sensorens ydeevne
- Den store chipfabrik blev påvirket af jordskælvet: TSMC stoppede med at fungere presserende og forværre GPU -forsyningen mangler?
- NAND -flashhukommelse fortsætter, MCU Destocking Bottom er rigtig
- Under AI Air Outlet er de to store chipgiganter "ikke stærke": at smadre pengene til at bryde spillet, sats på 2025 holdkampe