BSC037N08NS5ATMA1
BSC037N08NS5ATMA1
Modèle de produit:
BSC037N08NS5ATMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
49950 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
BSC037N08NS5ATMA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Test:4200pF @ 40V
Tension - Ventilation:PG-TDSON-8
Vgs (th) (Max) @ Id:3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (Max):6V, 10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:OptiMOS™
État RoHS:Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100A (Tc)
Polarisation:8-PowerTDFN
Autres noms:BSC037N08NS5ATMA1-ND
BSC037N08NS5ATMA1TR
SP001294988
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Référence fabricant:BSC037N08NS5ATMA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:58nC @ 10V
type de IGBT:±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:3.8V @ 72µA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 80V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Tension drain-source (Vdss):-
La description:MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:80V
Ratio de capacité:2.5W (Ta), 114W (Tc)
Email:[email protected]

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