BSC037N08NS5ATMA1
BSC037N08NS5ATMA1
Modelo do Produto:
BSC037N08NS5ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
49950 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
BSC037N08NS5ATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - Teste:4200pF @ 40V
Tensão - Breakdown:PG-TDSON-8
VGS (th) (Max) @ Id:3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (Max):6V, 10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:OptiMOS™
Status de RoHS:Tape & Reel (TR)
RDS ON (Max) @ Id, VGS:100A (Tc)
Polarização:8-PowerTDFN
Outros nomes:BSC037N08NS5ATMA1-ND
BSC037N08NS5ATMA1TR
SP001294988
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:BSC037N08NS5ATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:58nC @ 10V
Tipo de IGBT:±20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:3.8V @ 72µA
Característica FET:N-Channel
Descrição expandida:N-Channel 80V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80V
Rácio de capacitância:2.5W (Ta), 114W (Tc)
Email:[email protected]

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