BSC046N10NS3GATMA1
BSC046N10NS3GATMA1
Modèle de produit:
BSC046N10NS3GATMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
55470 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
BSC046N10NS3GATMA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 120µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TDSON-8
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.6 mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max):156W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:BSC046N10NS3GATMA1CT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4500pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:63nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):6V, 10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 17A (Ta), 100A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:17A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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