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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT95GR65JDU60
APT95GR65JDU60
Modèle de produit:
APT95GR65JDU60
Fabricant:
Microsemi
La description:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
44308 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
APT95GR65JDU60.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.4V @ 15V, 95A
Condition de test:433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:29ns/226ns
Package composant fournisseur:SOT-227
Séries:-
Puissance - Max:446W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:NPT
gate charge:420nC
Description détaillée:IGBT NPT 650V 135A 446W Chassis Mount SOT-227
Courant - Collecteur pulsée (Icm):380A
Courant - Collecteur (Ic) (max):135A
Email:[email protected]

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