Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APT9F100S
APT9F100S
APT9F100S
Modèle de produit:
APT9F100S
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
36533 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
APT9F100S.pdf
Enquête

introduction

APT9F100S est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour APT9F100S, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour APT9F100S par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez APT9F100S avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D3Pak
Séries:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.6 Ohm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max):337W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2606pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:80nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):1000V
Description détaillée:N-Channel 1000V 9A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3Pak
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes APT9F100S

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
APT94N60L2C3G Image APT94N60L2C3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 94A TO264 Enquête
APTC60AM242G Image APTC60AM242G Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2 Enquête
APT94N65B2C3G Image APT94N65B2C3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 Enquête
APT95GR65JDU60 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Enquête
APTC60AM45BC1G Image APTC60AM45BC1G Microsemi MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 Enquête
APTC60AM42F2G Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2 Enquête
APT94N65B2C6 Image APT94N65B2C6 Microsemi MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX Enquête
APT9F100B Image APT9F100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 Enquête
APT95GR65B2 Image APT95GR65B2 Microsemi IGBT 650V 208A 892W T-MAX Enquête
APT8M100B Image APT8M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 Enquête
APTC60AM24SCTG Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4 Enquête
APTC60AM24T1G Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1 Enquête
APT8M80K Microsemi MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 Enquête
APT90DR160HJ Image APT90DR160HJ Microsemi DIODE MODULE 1.6V SOT227 Enquête
APTC60AM35SCTG Image APTC60AM35SCTG Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4 Enquête
APT97N65LC6 Microsemi MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 Enquête
APTC60AM18SCG Image APTC60AM18SCG Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6 Enquête
APTC60AM45B1G Image APTC60AM45B1G Microsemi MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 Enquête
APT9M100B Image APT9M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 Enquête
APTC60AM35T1G Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1 Enquête

Latest Nouvelles