APT95GR65JDU60 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APT95GR65JDU60, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APT95GR65JDU60 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APT95GR65JDU60 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APT95GR65JDU60
- Part Number:
- APT95GR65JDU60
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 44308 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- APT95GR65JDU60.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 650V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.4V @ 15V, 95A |
| Zkušební podmínky: | 433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 29ns/226ns |
| Dodavatel zařízení Package: | SOT-227 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 446W |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | NPT |
| Gate Charge: | 420nC |
| Detailní popis: | IGBT NPT 650V 135A 446W Chassis Mount SOT-227 |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 380A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 135A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APT95GR65JDU60
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC60AM18SCG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6 | Dotaz |
 |
APTC60AM24T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1 | Dotaz |
 |
APT90DR160HJ | Microsemi | DIODE MODULE 1.6V SOT227 | Dotaz |
|
APT85GR120JD60 | Microsemi | IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP | Dotaz |
|
APT97N65LC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | Dotaz |
|
APTC60AM35T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1 | Dotaz |
 |
APTC60AM242G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2 | Dotaz |
 |
APT94N60L2C3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 94A TO264 | Dotaz |
 |
APT85GR120L | Microsemi | IGBT 1200V 170A 962W TO264 | Dotaz |
 |
APT9F100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | Dotaz |
 |
APT9F100S | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | Dotaz |
 |
APT94N65B2C3G | Microsemi | MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 | Dotaz |
|
APT8M100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 | Dotaz |
|
APT8M80K | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 | Dotaz |
|
APTC60AM24SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4 | Dotaz |
|
APT95GR65B2 | Microsemi | IGBT 650V 208A 892W T-MAX | Dotaz |
|
APT94N65B2C6 | Microsemi | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | Dotaz |
 |
APTC60AM35SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4 | Dotaz |
|
APT9M100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | Dotaz |
|
APT8DQ60KCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220 | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení