APTC60AM35T1G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APTC60AM35T1G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APTC60AM35T1G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APTC60AM35T1G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APTC60AM35T1G
- Part Number:
- APTC60AM35T1G
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 27635 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.APTC60AM35T1G.pdf2.APTC60AM35T1G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3.9V @ 5.4mA |
| Dodavatel zařízení Package: | SP1 |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 35 mOhm @ 72A, 10V |
| Power - Max: | 416W |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | SP1 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 32 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 14000pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 518nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature: | Standard |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 600V |
| Detailní popis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 72A 416W Chassis Mount SP1 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 72A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APTC60AM35T1G
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APT97N65LC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | Dotaz |
 |
APT9M100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | Dotaz |
|
APTC60AM70T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | Dotaz |
 |
APTC60AM18SCG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6 | Dotaz |
|
APTC60AM42F2G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2 | Dotaz |
|
APT9F100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | Dotaz |
 |
APTC60AM45B1G | Microsemi | MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 | Dotaz |
 |
APT9F100S | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | Dotaz |
|
APTC60AM24SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4 | Dotaz |
|
APTC60AM83B1G | Microsemi | MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 | Dotaz |
 |
APTC60AM35SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4 | Dotaz |
 |
APTC60BBM24T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3F | Dotaz |
|
APTC60DAM24CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 95A SP4 | Dotaz |
|
APTC60AM45T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | Dotaz |
|
APTC60AM83BC1G | Microsemi | MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 | Dotaz |
|
APTC60AM24T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1 | Dotaz |
 |
APTC60AM242G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2 | Dotaz |
|
APT95GR65JDU60 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Dotaz |
|
APTC60AM45BC1G | Microsemi | MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 | Dotaz |
 |
APTC60DAM18CTG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 143A SP4 | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen