APT95GR65JDU60 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT95GR65JDU60 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT95GR65JDU60 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT95GR65JDU60 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
APT95GR65JDU60
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- APT95GR65JDU60
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 44308 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- APT95GR65JDU60.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 650V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 2.4V @ 15V, 95A |
| ทดสอบสภาพ: | 433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C: | 29ns/226ns |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SOT-227 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 446W |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SOT-227-4, miniBLOC |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทขาเข้า: | Standard |
| ประเภท IGBT: | NPT |
| ค่าใช้จ่ายประตู: | 420nC |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IGBT NPT 650V 135A 446W Chassis Mount SOT-227 |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM): | 380A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 135A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT95GR65JDU60
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC60AM18SCG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6 | การสอบสวน |
 |
APTC60AM24T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1 | การสอบสวน |
 |
APT90DR160HJ | Microsemi | DIODE MODULE 1.6V SOT227 | การสอบสวน |
|
APT85GR120JD60 | Microsemi | IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP | การสอบสวน |
|
APT97N65LC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | การสอบสวน |
|
APTC60AM35T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1 | การสอบสวน |
 |
APTC60AM242G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2 | การสอบสวน |
 |
APT94N60L2C3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 94A TO264 | การสอบสวน |
 |
APT85GR120L | Microsemi | IGBT 1200V 170A 962W TO264 | การสอบสวน |
 |
APT9F100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | การสอบสวน |
 |
APT9F100S | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | การสอบสวน |
 |
APT94N65B2C3G | Microsemi | MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 | การสอบสวน |
|
APT8M100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 | การสอบสวน |
|
APT8M80K | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 | การสอบสวน |
|
APTC60AM24SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4 | การสอบสวน |
|
APT95GR65B2 | Microsemi | IGBT 650V 208A 892W T-MAX | การสอบสวน |
|
APT94N65B2C6 | Microsemi | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | การสอบสวน |
 |
APTC60AM35SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4 | การสอบสวน |
|
APT9M100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | การสอบสวน |
|
APT8DQ60KCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่