ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT95GR65B2
APT95GR65B2
APT95GR65B2
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT95GR65B2
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 650V 208A 892W T-MAX
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
33249 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT95GR65B2.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT95GR65B2 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT95GR65B2 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT95GR65B2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT95GR65B2 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):650V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:2.4V @ 15V, 95A
ทดสอบสภาพ:433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:29ns/226ns
การสลับพลังงาน:3.12mJ (on), 2.55mJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:T-MAX™ [B2]
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:892W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:28 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:NPT
ค่าใช้จ่ายประตู:420nC
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT NPT 650V 208A 892W Through Hole T-MAX™ [B2]
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):400A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):208A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT95GR65B2

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APTC60AM24T1G Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1 การสอบสวน
APT85GR120L Image APT85GR120L Microsemi IGBT 1200V 170A 962W TO264 การสอบสวน
APT9F100B Image APT9F100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 การสอบสวน
APT90DR160HJ Image APT90DR160HJ Microsemi DIODE MODULE 1.6V SOT227 การสอบสวน
APTC60AM24SCTG Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4 การสอบสวน
APT8DQ60KCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220 การสอบสวน
APTC60AM35SCTG Image APTC60AM35SCTG Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4 การสอบสวน
APT9M100B Image APT9M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 การสอบสวน
APT94N65B2C6 Image APT94N65B2C6 Microsemi MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX การสอบสวน
APT9F100S Image APT9F100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK การสอบสวน
APTC60AM242G Image APTC60AM242G Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2 การสอบสวน
APT97N65LC6 Microsemi MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 การสอบสวน
APT94N60L2C3G Image APT94N60L2C3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 94A TO264 การสอบสวน
APT8M80K Microsemi MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 การสอบสวน
APT94N65B2C3G Image APT94N65B2C3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 การสอบสวน
APT8M100B Image APT8M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 การสอบสวน
APT85GR120JD60 Image APT85GR120JD60 Microsemi IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP การสอบสวน
APTC60AM18SCG Image APTC60AM18SCG Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6 การสอบสวน
APT85GR120J Image APT85GR120J Microsemi IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP การสอบสวน
APT95GR65JDU60 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน

ข่าว Latest