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2SK3666-3-TB-E
- Modèle de produit:
- 2SK3666-3-TB-E
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 46854 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 2SK3666-3-TB-E.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Cutoff (VGS off) @ Id: | 180mV @ 1µA |
| Package composant fournisseur: | 3-CP |
| Séries: | - |
| Résistance - RDS (On): | 200 Ohms |
| Puissance - Max: | 200mW |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms: | 869-1107-1 |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 4 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 4pF @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP |
| Consommation de courant (Id) - Max: | 10mA |
| Courant - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0): | 1.2mA @ 10V |
| Numéro de pièce de base: | 2SK3666 |
| Email: | [email protected] |
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