2SK3666-3-TB-E
2SK3666-3-TB-E
제품 모델:
2SK3666-3-TB-E
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
무연 상태:
무연 / RoHS 준수
재고 수량:
46854 Pieces
배달 시간:
1-2 days
리드 타임:
4-8 weeks
데이터 시트:
2SK3666-3-TB-E.pdf

소개

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규격

조건 New & Original, tested
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마킹 코드 Send by email
전압 - 컷오프 (VGS 꺼짐) 아이디 @:180mV @ 1µA
제조업체 장치 패키지:3-CP
연속:-
저항 - RDS (ON):200 Ohms
전력 - 최대:200mW
포장:Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
다른 이름들:869-1107-1
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:4 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:4pF @ 10V
FET 유형:N-Channel
소스 전압에 드레인 (Vdss):30V
상세 설명:JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP
드레인 전류 (ID) - 최대:10mA
전류 - Vds를 @ 드레인 (IDSS) (의 Vgs = 0):1.2mA @ 10V
기본 부품 번호:2SK3666
Email:[email protected]

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