2SK3666-3-TB-E je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro 2SK3666-3-TB-E, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro 2SK3666-3-TB-E e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si 2SK3666-3-TB-E s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
2SK3666-3-TB-E
- Part Number:
- 2SK3666-3-TB-E
- Popis:
- JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 46854 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 2SK3666-3-TB-E.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Cutoff (VGS off) 'Id: | 180mV @ 1µA |
| Dodavatel zařízení Package: | 3-CP |
| Série: | - |
| Odolnost - RDS (On): | 200 Ohms |
| Power - Max: | 200mW |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Ostatní jména: | 869-1107-1 |
| Provozní teplota: | 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 4 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 4pF @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
| Detailní popis: | JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP |
| Aktuální Drain (Id) - Max: | 10mA |
| Proud - Drain (IDS) @ VDS (Vgs = 0): | 1.2mA @ 10V |
| Číslo základní části: | 2SK3666 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro 2SK3666-3-TB-E
Latest News
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný
- Pod zásuvkou AI vzduch jsou dva hlavní giganty čipu „nejsou silní“: rozbíjení peněz na rozbití hry, vsazení na 2025 týmové bitvy