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2SK3666-3-TB-E
- Artikelnummer:
- 2SK3666-3-TB-E
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 46854 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 2SK3666-3-TB-E.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id: | 180mV @ 1µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | 3-CP |
| Serie: | - |
| Resistance - RDS (on): | 200 Ohms |
| Leistung - max: | 200mW |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen: | 869-1107-1 |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 4 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 4pF @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP |
| Aktuelle Drain (Id) - Max: | 10mA |
| Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0): | 1.2mA @ 10V |
| Basisteilenummer: | 2SK3666 |
| Email: | [email protected] |
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