2SK3564(STA4,Q,M)
2SK3564(STA4,Q,M)
Artikelnummer:
2SK3564(STA4,Q,M)
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
52670 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
1.2SK3564(STA4,Q,M).pdf2.2SK3564(STA4,Q,M).pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Prüfung:700pF @ 25V
Spannung - Durchschlag:TO-220SIS
VGS (th) (Max) @ Id:4.3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (Max):10V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:π-MOSIV
RoHS Status:Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3A (Ta)
Polarisation:TO-220-3 Full Pack
Andere Namen:2SK3564(Q)
2SK3564(STA4,Q)
2SK3564(STA4Q)
2SK3564(STA4Q)-ND
2SK3564(STA4QM)
2SK3564Q
2SK3564Q-ND
2SK3564STA4QM
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:2SK3564(STA4,Q,M)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:17nC @ 10V
IGBT-Typ:±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:4V @ 1mA
FET-Merkmal:N-Channel
Expanded Beschreibung:N-Channel 900V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Drain-Source-Spannung (Vdss):-
Beschreibung:MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:900V
Kapazitätsverhältnis:40W (Tc)
Email:[email protected]

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