2SK3662(F)
2SK3662(F)
Modèle de produit:
2SK3662(F)
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
47858 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.2SK3662(F).pdf2.2SK3662(F).pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220NIS
Séries:U-MOSIII
Rds On (Max) @ Id, Vgs:12.5 mOhm @ 18A, 10V
Dissipation de puissance (max):35W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5120pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:91nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4V, 10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 35A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220NIS
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:35A (Ta)
Email:[email protected]

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