«La plate-forme de mémoire au silicium intégrée de Leti est développée pour les mémoires d'arrière-plan et la non-volatilité associées aux conceptions intégrées», a déclaré le laboratoire. «La plateforme technologique sera basée sur des couches actives d'oxyde d'hafnium dopé au titane [HfO2 / Ti].»

L’OxRAM fait partie du futur ensemble de masques de démonstration avancée du MAD (Memory Advanced Demonstrator), disponible sur sa ligne CMOS de 200 mm, avec des MPW offrant un moyen peu coûteux d’essayer la technologie.

Selon le Leti, les applications potentielles d'OxRAM embarquée comprennent les microcontrôleurs et les produits sécurisés, ainsi que les accélérateurs d'IA et l'informatique neuromorphique.

Points forts de la plateforme:

• 200 mm STMicroelectronics HCMOS9A plaquettes de base dans un nœud de 130 nm
• Tout le routage est effectué sur des plaquettes de base ST de M1 à M4 (incluses)
• Le module de mémoire OxRAM du Leti est fabriqué sur le dessus
• Un niveau d'interconnexion (M5) plus des tampons sont fabriqués dans la salle blanche du Leti

L'offre technologique est livrée avec un kit de conception, comprenant des fonctionnalités de mise en page, de vérification et de simulation. Les bibliothèques sont fournies avec une liste de composants électro-optiques actifs et passifs. L'environnement du kit de conception est compatible avec toutes les offres via CMP.

«CMP possède une longue expérience dans la fourniture aux petites entreprises de technologies de fabrication avancées, et la communauté CMP est très intéressée par la conception et le prototypage de circuits intégrés utilisant ce processus», a déclaré le directeur de CMP, Jean-Christophe Crébier. «C'est l'occasion pour de nombreuses universités, start-ups et PME en France, en Europe, en Amérique du Nord et en Asie de profiter de ce service MPW de nouvelle technologie.»