實驗室說：“ Leti的集成矽存儲器平台是為後端存儲器和與嵌入式設計相關的非易失性而開發的。” “該技術平台將基於摻雜鈦的氧化ha [HfO2 / Ti]活性層。”

OxRAM是Leti的Memory Advanced Demonstrator（MAD）未來掩模套件的一部分，可在其200mm CMOS生產線上使用，MPW提供了一種低成本的嘗試該技術的方法。

Leti表示，嵌入式OxRAM的潛在應用包括微控制器和安全產品，以及AI加速器和神經形態計算。

平台亮點：

• 130nm節點中的200mm STMicroelectronics HCMOS9A基礎晶片
• 從M1到M4（包括）在ST基礎晶片上進行所有工藝
• Leti的OxRAM內存模塊在頂部製造
• 在Leti的潔淨室中製造出一層互連（M5）和焊盤

該技術產品隨附一個設計套件，包括佈局，驗證和仿真功能。向庫提供了有源和無源電光組件的列表。設計套件環境與CMP提供的所有產品兼容。

CMP主管Jean-ChristopheCrébier表示：“ CMP在為較小的組織提供先進製造技術方面擁有豐富的經驗，並且對CMP社區非常感興趣，他們希望使用此過程來設計和製作IC原型。 “這為法國，歐洲，北美和亞洲的許多大學，初創企業和中小型企業提供了利用這項新技術MPW服務的機會。”