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Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fundada en 2007 es una compañía de desarrollo y fabricación integrada dedicada a productos basados ​​en tecnologías de carburo de silicio (SiC). Estos productos serán fundamentales para las industrias de electrónica de potencia y energía en los próximos años, donde se necesitan tecnologías avanzadas para la generación, conversión y transmisión de energía altamente eficiente y de bajo costo.
Imagen Número de pieza Descripción Ver
GHXS050A060S-D4 Image GHXS050A060S-D4 DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227 Investigación
GSXD080A012S1-D3 Image GSXD080A012S1-D3 DIODE SCHOTTKY 120V 80A SOT227 Investigación
GKR26/12 DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4 Investigación
GDP60Y120B Image GDP60Y120B DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3 Investigación
GP1M023A050N Image GP1M023A050N MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN Investigación
1N1184AR Image 1N1184AR DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5 Investigación
GP2M002A060FG Image GP2M002A060FG MOSFET N-CH 600V 2A TO220F Investigación
GP2D005A120A Image GP2D005A120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2 Investigación
GPA030A120I-FD Image GPA030A120I-FD IGBT 1200V 60A 329W TO247 Investigación
GSXF120A040S1-D3 Image GSXF120A040S1-D3 DIODE FAST REC 400V 120A SOT227 Investigación
FR40DR05 DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5 Investigación
FST16030 Image FST16030 DIODE MODULE 30V 160A TO249AB Investigación
GHIS080A120S1-E1 SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S Investigación
GHXS030A060S-D1E Image GHXS030A060S-D1E MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227 Investigación
GP1M012A060H Image GP1M012A060H MOSFET N-CH 600V 12A TO220 Investigación
GP2D012A065C DIODE SCHOTTKY 650V 29A TO252-2 Investigación
GSID100A120S5C1 Image GSID100A120S5C1 IGBT MODULE 1200V 170A Investigación
GP1M003A050FG Image GP1M003A050FG MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F Investigación
1N3766 DIODE GEN PURP 800V 35A DO5 Investigación
GSXD050A006S1-D3 Image GSXD050A006S1-D3 DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227 Investigación
S25K DIODE GEN PURP 800V 25A DO203AA Investigación
S16DR DIODE GEN REV 200V 16A DO203AA Investigación
GKN71/04 DIODE GEN PURP 400V 95A DO5 Investigación
S12JR DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 Investigación
GSXF060A020S1-D3 Image GSXF060A020S1-D3 DIODE FAST REC 200V 60A SOT227 Investigación
GCMS040A120B1H1 SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1 Investigación
GP1M018A020PG Image GP1M018A020PG MOSFET N-CH 200V 18A IPAK Investigación
MBRT400150 Image MBRT400150 DIODE SCHOTTKY 150V 200A 3 TOWER Investigación
GP2M020A050H Image GP2M020A050H MOSFET N-CH 500V 18A TO220 Investigación
FR6AR02 DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4 Investigación
1N8028-GA Image 1N8028-GA DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 Investigación
GP2M008A060FG Image GP2M008A060FG MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F Investigación
FST10020 Image FST10020 DIODE MODULE 20V 100A TO249AB Investigación
S40J DIODE GEN PURP 600V 40A DO5 Investigación
S16K DIODE GEN PURP 800V 16A DO203AA Investigación
1N3213 DIODE GEN PURP 500V 15A DO5 Investigación
1N1204AR Image 1N1204AR DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4 Investigación
GHXS030A120S-D1 Image GHXS030A120S-D1 MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227 Investigación
GHIS030A060B2P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES Investigación
GPA015A120MN-ND Image GPA015A120MN-ND IGBT 1200V 30A 212W TO3PN Investigación
FR40BR05 DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5 Investigación
GP1M008A050PG Image GP1M008A050PG MOSFET N-CH 500V 8A IPAK Investigación
GP2D005A065C DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO252 Investigación
1N1190R Image 1N1190R DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5 Investigación
GSXF100A120S1-D3 Image GSXF100A120S1-D3 DIODE FAST REC 1200V 100A SOT227 Investigación
S16BR DIODE GEN REV 100V 16A DO203AA Investigación
GHXS020A060S-D1 Image GHXS020A060S-D1 MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227 Investigación
S16D DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA Investigación
GHIS075A120T2P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES Investigación
GB05SLT12-220 Image GB05SLT12-220 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC Investigación
registros 639