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Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fundada en 2007 es una compañía de desarrollo y fabricación integrada dedicada a productos basados ​​en tecnologías de carburo de silicio (SiC). Estos productos serán fundamentales para las industrias de electrónica de potencia y energía en los próximos años, donde se necesitan tecnologías avanzadas para la generación, conversión y transmisión de energía altamente eficiente y de bajo costo.
Imagen Número de pieza Descripción Ver
1N1189 DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 Investigación
GSXD050A004S1-D3 Image GSXD050A004S1-D3 DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227 Investigación
1N1183R DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5 Investigación
GP1M016A060FH Image GP1M016A060FH MOSFET N-CH 600V 16A TO220F Investigación
GSXD050A008S1-D3 Image GSXD050A008S1-D3 DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227 Investigación
GP1M011A050HS Image GP1M011A050HS MOSFET N-CH 500V 10A TO220 Investigación
GP2D010A120B Image GP2D010A120B DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-2 Investigación
GHIS080A060S1-E1 Image GHIS080A060S1-E1 IGBT 600V 160A SOT227 Investigación
GCMS012A120S1-E1 SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C Investigación
GSXD120A020S1-D3 Image GSXD120A020S1-D3 DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227 Investigación
GP1M007A090H Image GP1M007A090H MOSFET N-CH 900V 7A TO220 Investigación
GP1M003A090C Image GP1M003A090C MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK Investigación
S16Q Image S16Q DIODE GEN PURP 1.2KV 16A DO203AA Investigación
GSXF060A100S1-D3 Image GSXF060A100S1-D3 DIODE FAST REC 1000V 60A SOT227 Investigación
FR12G05 Image FR12G05 DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 Investigación
GCMS080A120S1-E1 SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C Investigación
GP2D030A120U Image GP2D030A120U DIODE SIC 1200V 50A TO24 Investigación
S85QR Image S85QR DIODE GEN PURP REV 1.2KV 85A DO5 Investigación
S40GR DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5 Investigación
GHXS015A120S-D3 Image GHXS015A120S-D3 DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227 Investigación
GAP05SLT80-220 Image GAP05SLT80-220 DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL Investigación
FR12BR05 DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 Investigación
FST16060 Image FST16060 DIODE MODULE 60V 160A TO249AB Investigación
GP2M004A060CG Image GP2M004A060CG MOSFET N-CH 600V 4A DPAK Investigación
GP1M006A065F Image GP1M006A065F MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F Investigación
GP1M009A020PG Image GP1M009A020PG MOSFET N-CH 200V 9A IPAK Investigación
GP1M005A040PG Image GP1M005A040PG MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK Investigación
GSID200A170S3B1 SILICON IGBT MODULES Investigación
GP2D005A060A Image GP2D005A060A DIODE SCHOTTKY 600V 15A TO220-2 Investigación
GHIS030A120S-A1 Image GHIS030A120S-A1 IGBT BOOST CHOP 1200V 60A SOT227 Investigación
GKR26/16 DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4 Investigación
MBRT200200R Image MBRT200200R DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER Investigación
FR16B05 DIODE GEN PURP 100V 16A DO4 Investigación
GHIS080A120S-A1 Image GHIS080A120S-A1 IGBT BOOST CHP 1200V 160A SOT227 Investigación
FST16020 Image FST16020 DIODE MODULE 20V 160A TO249AB Investigación
S40QR Image S40QR DIODE GEN PURP REV 1.2KV 40A DO5 Investigación
S6QR Image S6QR DIODE GEN PURP REV 1.2KV 6A DO4 Investigación
1N2129A DIODE GEN PURP 100V 60A DO5 Investigación
S6M DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4 Investigación
GP2M004A060PG Image GP2M004A060PG MOSFET N-CH 600V 4A IPAK Investigación
S16GR DIODE GEN REV 400V 16A DO203AA Investigación
GP2M008A060CG Image GP2M008A060CG MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK Investigación
S6MR DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4 Investigación
GSID080A120B1A5 SILICON IGBT MODULES Investigación
FR16BR05 DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4 Investigación
GP2M004A060HG Image GP2M004A060HG MOSFET N-CH 600V 4A TO220 Investigación
GP1M005A050FSH Image GP1M005A050FSH MOSFET N-CH 500V 4A TO220F Investigación
GP1M016A025PG Image GP1M016A025PG MOSFET N-CH 250V 16A IPAK Investigación
GP2M004A065PG Image GP2M004A065PG MOSFET N-CH 650V 4A IPAK Investigación
GSXF030A040S1-D3 Image GSXF030A040S1-D3 DIODE FAST REC 400V 30A SOT227 Investigación
registros 639