Tarjeta de línea

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fundada en 2007 es una compañía de desarrollo y fabricación integrada dedicada a productos basados en tecnologías de carburo de silicio (SiC). Estos productos serán fundamentales para las industrias de electrónica de potencia y energía en los próximos años, donde se necesitan tecnologías avanzadas para la generación, conversión y transmisión de energía altamente eficiente y de bajo costo.

Número de pieza	Descripción	Ver
GP1M009A020CG	MOSFET N-CH 200V 9A DPAK	Investigación
S25QR	DIODE GEN REV 1.2KV 25A DO203AA	Investigación
S12G	DIODE GEN PURP 400V 12A DO4	Investigación
GSXD160A012S1-D3	DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227	Investigación
GP2D003A065A	DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2	Investigación
GP1M011A050FH	MOSFET N-CH 500V 11A TO220F	Investigación
GSXF060A040S1-D3	DIODE FAST REC 400V 60A SOT227	Investigación
1N3767R	DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5	Investigación
FR12MR05	DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4	Investigación
GP1M008A050HG	MOSFET N-CH 500V 8A TO220	Investigación
GP1M003A090PH	MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK	Investigación
GHXS060A120S-D4	DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227	Investigación
GP1M003A050HG	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220	Investigación
GKN26/08	DIODE GEN PURP 800V 25A DO4	Investigación
S12J	DIODE GEN PURP 600V 12A DO4	Investigación
GSXF100A040S1-D3	DIODE FAST REC 400V 100A SOT227	Investigación
GSXD080A020S1-D3	DIODE 200V 80A SOT227	Investigación
FR20G02	DIODE GEN PURP 400V 20A DO5	Investigación
GPA040A120L-ND	IGBT 1200V 80A 455W TO264	Investigación
GP2D003A060A	DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2	Investigación
GSXD120A004S1-D3	DIODE SCHOTTKY 45V 120A SOT227	Investigación
GP2D005A170B	DIODE SCHOTTKY 1700V 5A TO247-2	Investigación
GP1M009A070F	MOSFET N-CH 700V 9A TO220F	Investigación
GHIS050A120T1P2	SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES	Investigación
GP2M020A050N	MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN	Investigación
FR6G05	DIODE GEN PURP 400V 16A DO4	Investigación
GHIS100A120S1-E1	SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S	Investigación
1N3882R	DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4	Investigación
GP1M015A050FH	MOSFET N-CH 500V 14A TO220F	Investigación
GSXF030A060S1-D3	DIODE FAST REC 600V 30A SOT227	Investigación
GP2D006A065C	DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2	Investigación
GHXS045A120S-D4	DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227	Investigación
FR40B05	DIODE GEN PURP 100V 40A DO5	Investigación
FR30A02	DIODE GEN PURP 50V 30A DO5	Investigación
FST16040	DIODE MODULE 40V 160A TO249AB	Investigación
GP1M005A050FH	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F	Investigación
GP2M007A080F	MOSFET N-CH 800V 7A TO220F	Investigación
GP1M010A080N	MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN	Investigación
GPA030A120MN-FD	IGBT 1200V 60A 329W TO3PN	Investigación
FR12BR02	DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4	Investigación
MBRT20030R	DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER	Investigación
S12GR	DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4	Investigación
1N1188A	DIODE GEN PURP 400V 40A DO5	Investigación
GP2D010A120U	DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247	Investigación
GP2D010A120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2	Investigación
1N3208R	DIODE GEN PURP REV 50V 15A DO5	Investigación
GP1M018A020FG	MOSFET N-CH 200V 18A TO220F	Investigación
GHIS080A060S-A1	IGBT BOOST CHOP 600V 160A SOT227	Investigación
GKN26/16	DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4	Investigación
GP2D012A060A	DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2	Investigación

registros 639

Página actual:8/13Anterior 1 2 3 4 5 6 789 10 11 12 13 Próximo Final