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Tarjeta de línea

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fundada en 2007 es una compañía de desarrollo y fabricación integrada dedicada a productos basados ​​en tecnologías de carburo de silicio (SiC). Estos productos serán fundamentales para las industrias de electrónica de potencia y energía en los próximos años, donde se necesitan tecnologías avanzadas para la generación, conversión y transmisión de energía altamente eficiente y de bajo costo.
Imagen Número de pieza Descripción Ver
GHXS010A060S-D1 Image GHXS010A060S-D1 MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227 Investigación
FR16J02 DIODE GEN PURP 600V 16A DO4 Investigación
FR16G02 DIODE GEN PURP 400V 16A DO4 Investigación
GP2D024A060U DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247 Investigación
FR6JR05 DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 Investigación
GP2M004A065FG Image GP2M004A065FG MOSFET N-CH 650V 4A TO220F Investigación
1N3671AR Image 1N3671AR DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4 Investigación
FR6BR05 DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4 Investigación
1N3211R DIODE GEN PURP REV 300V 15A DO5 Investigación
FR6M05 DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4 Investigación
GP1M015A050H Image GP1M015A050H MOSFET N-CH 500V 14A TO220 Investigación
GHIS080A060S-A2 Image GHIS080A060S-A2 IGBT BUCK CHOP 600V 160A SOT227 Investigación
GSXD120A008S1-D3 Image GSXD120A008S1-D3 DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227 Investigación
GDP48Y060B Image GDP48Y060B DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO247-3 Investigación
FR12J02 DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 Investigación
1N3208 DIODE GEN PURP 50V 15A DO5 Investigación
FR16DR02 DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4 Investigación
S25M DIODE GEN PURP 1KV 25A DO203AA Investigación
GSID300A120S5C1 Image GSID300A120S5C1 IGBT MODULE 1200V 430A Investigación
MUR2505R DIODE GEN PURP REV 50V 25A DO4 Investigación
1N1184A Image 1N1184A DIODE GEN PURP 100V 40A DO5 Investigación
GP2M012A060F Image GP2M012A060F MOSFET N-CH 600V 12A TO220F Investigación
FR6KR05 DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4 Investigación
FR6BR02 DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 Investigación
1N3880R DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 Investigación
1N1202AR DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO5 Investigación
S25JR DIODE GEN REV 600V 25A DO203AA Investigación
1N3209 DIODE GEN PURP 100V 15A DO5 Investigación
GP2D010A065C DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO252 Investigación
GP1M009A090N Image GP1M009A090N MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN Investigación
S70B DIODE GEN PURP 100V 70A DO5 Investigación
FR16M05 DIODE GEN PURP 1KV 16A DO4 Investigación
GP2M005A050FG Image GP2M005A050FG MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F Investigación
S12KR DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4 Investigación
GSID600A120S4B1 SILICON IGBT MODULES Investigación
1N3766R DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5 Investigación
GP2M002A060PG Image GP2M002A060PG MOSFET N-CH 600V 2A Investigación
S16G DIODE GEN PURP 400V 16A DO203AA Investigación
GP2D020A120B Image GP2D020A120B DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247-2 Investigación
GSXD080A010S1-D3 Image GSXD080A010S1-D3 DIODE SCHOTTKY 100V 80A SOT227 Investigación
GP1M010A060FH Image GP1M010A060FH MOSFET N-CH 600V 10A TO220F Investigación
GP2D005A065A DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO220-2 Investigación
FR16KR05 DIODE GEN PURP REV 800V 16A DO4 Investigación
S6B DIODE GEN PURP 100V 6A DO4 Investigación
GHIS060A120S-A1 Image GHIS060A120S-A1 IGBT BOOST CHP 1200V 120A SOT227 Investigación
MUR2560 DIODE GEN PURP 600V 25A DO4 Investigación
GSXF120A120S1-D3 Image GSXF120A120S1-D3 DIODE FAST REC 1200V 120A SOT227 Investigación
GP2D005A120C Image GP2D005A120C DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2 Investigación
GP1M009A060FH Image GP1M009A060FH MOSFET N-CH 600V 9A TO220F Investigación
1N3765R DIODE GEN PURP REV 700V 35A DO5 Investigación
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