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S12JR
- Número de pieza:
- S12JR
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 25963 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.S12JR.pdf2.S12JR.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard, Reverse Polarity |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 12A |
| Tensión - Desglose: | DO-4 |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| Polarización: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Otros nombres: | S12JRGN |
| Tipo de montaje: | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | S12JR |
| Descripción ampliada: | Diode Standard, Reverse Polarity 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| configuración de diodo: | 10µA @ 50V |
| Descripción: | DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.1V @ 12A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 600V |
| Capacitancia Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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