بطاقة خط

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- شركة Global Power Technologies Group Inc. ("GPTG") التي تأسست في عام 2007 هي شركة تطوير وتصنيع متكاملة مخصصة لمنتجات تعتمد على تقنيات كربيد السيليكون (SiC). وستكون هذه المنتجات مؤسسية لصناعات الطاقة الكهربائية والإلكترونية في السنوات المقبلة حيث تحتاج إلى تقنيات متطورة لتكلفة منخفضة ، وتوليد طاقة عالية الكفاءة ، وتحويل ونقل.
صورة رقم القطعة وصف رأي
GP3D050A060B DIODE SCHOTTKY 600V 50A TO247-2 تحقيق
S16J Image S16J DIODE GEN PURP 600V 16A DO203AA تحقيق
FR20B02 DIODE GEN PURP 100V 20A DO5 تحقيق
GCMS008A120B1B1 SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL تحقيق
GP1M009A090H Image GP1M009A090H MOSFET N-CH 900V 9A TO220 تحقيق
GSXF030A120S1-D3 Image GSXF030A120S1-D3 DIODE FAST REC 1200V 30A SOT227 تحقيق
GP2M008A060PG Image GP2M008A060PG MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK تحقيق
1N1202A Image 1N1202A DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 تحقيق
GHIS030A060B1P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES تحقيق
MBRT20030 Image MBRT20030 DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER تحقيق
GP2M010A060H Image GP2M010A060H MOSFET N-CH 600V 10A TO220 تحقيق
GSID100A120T2P2 SILICON IGBT MODULES تحقيق
GPA042A100L-ND Image GPA042A100L-ND IGBT 1000V 60A 463W TO264 تحقيق
S6JR DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 تحقيق
GP2M005A050HG Image GP2M005A050HG MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220 تحقيق
1N3890R DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 تحقيق
GSXD060A010S1-D3 Image GSXD060A010S1-D3 DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227 تحقيق
FR20KR05 DIODE GEN PURP REV 800V 20A DO5 تحقيق
GP1M009A020FG Image GP1M009A020FG MOSFET N-CH 200V 9A TO220F تحقيق
1N2137A DIODE GEN PURP 500V 60A DO5 تحقيق
GP1M012A060FH Image GP1M012A060FH MOSFET N-CH 600V 12A TO220F تحقيق
GP2M004A060FG Image GP2M004A060FG MOSFET N-CH 600V 4A TO220F تحقيق
GB05SLT12-252 Image GB05SLT12-252 DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252 تحقيق
GP3D060A120B DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247 تحقيق
MUR2520R DIODE GEN PURP REV 200V 25A DO4 تحقيق
GKN26/14 DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4 تحقيق
GSID150A120T2C1 SILICON IGBT MODULES تحقيق
FR30MR05 DIODE GEN PURP REV 1KV 30A DO5 تحقيق
GP1M010A060H Image GP1M010A060H MOSFET N-CH 600V 10A TO220 تحقيق
1N3212 DIODE GEN PURP 400V 15A DO5 تحقيق
GP1M020A060M Image GP1M020A060M MOSFET N-CH 600V 20A TO3P تحقيق
GDP60D120B Image GDP60D120B DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3 تحقيق
GP1M009A050HS Image GP1M009A050HS MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220 تحقيق
GHXS015A120S-D1 Image GHXS015A120S-D1 MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227 تحقيق
FR40GR05 DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5 تحقيق
GP1M020A050N Image GP1M020A050N MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN تحقيق
GP1M003A040PG Image GP1M003A040PG MOSFET N-CH 400V 2A IPAK تحقيق
GCMS080A120B3C1 SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY تحقيق
1N3212R DIODE GEN PURP REV 400V 15A DO5 تحقيق
GSXD080A015S1-D3 Image GSXD080A015S1-D3 DIODE SCHOTTKY 150V 80A SOT227 تحقيق
S25MR DIODE GEN REV 1KV 25A DO203AA تحقيق
1N2138A Image 1N2138A DIODE GEN PURP 600V 60A DO5 تحقيق
GHXS020A060S-D4 Image GHXS020A060S-D4 DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227 تحقيق
GHXS030A120S-D4 Image GHXS030A120S-D4 DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227 تحقيق
S40M Image S40M DIODE GEN PURP 1KV 40A DO5 تحقيق
1N1186R Image 1N1186R DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5 تحقيق
MBRT200150 Image MBRT200150 DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER تحقيق
GHXS020A060S-D1E Image GHXS020A060S-D1E MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227 تحقيق
FST12060 Image FST12060 DIODE MODULE 60V 120A TO249AB تحقيق
GHXS020A060S-D3 Image GHXS020A060S-D3 DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227 تحقيق
سجلات 639
سابق12345678910111213التالينهاية