GDP60D120B متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل GDP60D120B، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل GDP60D120B عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء GDP60D120B مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
GDP60D120B
- رقم القطعة:
- GDP60D120B
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 47543 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- GDP60D120B.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.7V @ 30A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-3 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Amp+™ |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | 1560-1029-5 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 135°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Silicon Carbide Schottky |
| تكوين الصمام الثنائي: | 1 Pair Common Anode |
| وصف تفصيلي: | Diode Array 1 Pair Common Anode Silicon Carbide Schottky 1200V 30A Through Hole TO-247-3 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 100µA @ 1200V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 30A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لGDP60D120B
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU