بطاقة خط

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- شركة Global Power Technologies Group Inc. ("GPTG") التي تأسست في عام 2007 هي شركة تطوير وتصنيع متكاملة مخصصة لمنتجات تعتمد على تقنيات كربيد السيليكون (SiC). وستكون هذه المنتجات مؤسسية لصناعات الطاقة الكهربائية والإلكترونية في السنوات المقبلة حيث تحتاج إلى تقنيات متطورة لتكلفة منخفضة ، وتوليد طاقة عالية الكفاءة ، وتحويل ونقل.
صورة رقم القطعة وصف رأي
FR6A05 DIODE GEN PURP 50V 16A DO4 تحقيق
FR20JR02 DIODE GEN PURP REV 600V 20A DO5 تحقيق
FST10035 Image FST10035 DIODE MODULE 35V 100A TO249AB تحقيق
1N3673A Image 1N3673A DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4 تحقيق
GP2D010A170B DIODE SCHOTTKY 1.7KV 10A TO247-2 تحقيق
GSXD030A006S1-D3 Image GSXD030A006S1-D3 DIODE SCHOTTKY 60V 30A SOT227 تحقيق
1N1187 DIODE GEN PURP 300V 35A DO5 تحقيق
S25D DIODE GEN PURP 200V 25A DO203AA تحقيق
GP1M009A020HG Image GP1M009A020HG MOSFET N-CH 200V 9A TO220 تحقيق
GP1M005A050HS Image GP1M005A050HS MOSFET N-CH 500V 4A TO220 تحقيق
1N1190 Image 1N1190 DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 تحقيق
GKN71/14 DIODE GEN PURP 1.4KV 95A DO5 تحقيق
GP2M002A065HG Image GP2M002A065HG MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220 تحقيق
FR6JR02 DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 تحقيق
GP1M003A080CH MOSFET N-CH 800V 3A DPAK تحقيق
GPA020A120MN-FD Image GPA020A120MN-FD IGBT 1200V 40A 223W TO3PN تحقيق
FR20K05 DIODE GEN PURP 800V 20A DO5 تحقيق
1N1186 DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 تحقيق
GSXD120A010S1-D3 Image GSXD120A010S1-D3 DIODE SCHOTTKY 100V 120A SOT227 تحقيق
FR30AR02 DIODE GEN PURP REV 50V 30A DO5 تحقيق
GP2M005A050CG Image GP2M005A050CG MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK تحقيق
GP1M020A060N Image GP1M020A060N MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN تحقيق
GB50SLT12-247 Image GB50SLT12-247 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC تحقيق
1N1204A Image 1N1204A DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 تحقيق
GHXS010A060S-D1E Image GHXS010A060S-D1E MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227 تحقيق
GPA040A120L-FD Image GPA040A120L-FD IGBT 1200V 80A 480W TO264 تحقيق
GSXD120A012S1-D3 Image GSXD120A012S1-D3 DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227 تحقيق
GSXD060A004S1-D3 Image GSXD060A004S1-D3 DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227 تحقيق
FR12K05 DIODE GEN PURP 800V 12A DO4 تحقيق
FR12B02 DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 تحقيق
FR12DR05 DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 تحقيق
GP2D040A120U DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 تحقيق
GCMS040A120B3C1 SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY تحقيق
FR16GR02 DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4 تحقيق
FST16045 Image FST16045 DIODE MODULE 45V 160A TO249AB تحقيق
GP1M003A080H Image GP1M003A080H MOSFET N-CH 800V 3A TO220 تحقيق
GSID100A120T2C1A SILICON IGBT MODULES تحقيق
GPA040A120MN-FD Image GPA040A120MN-FD IGBT 1200V 80A 480W TO3PN تحقيق
GPA060A060MN-FD Image GPA060A060MN-FD IGBT 600V 120A 347W TO3PN تحقيق
GP2D006A060C Image GP2D006A060C DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-2 تحقيق
GP1M008A025FG Image GP1M008A025FG MOSFET N-CH 250V 8A TO220F تحقيق
GP2M002A060HG Image GP2M002A060HG MOSFET N-CH 600V 2A TO220 تحقيق
GSXF100A100S1-D3 Image GSXF100A100S1-D3 DIODE FAST REC 1000V 100A SOT227 تحقيق
1N1183A DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB تحقيق
GP1M009A090FH Image GP1M009A090FH MOSFET N-CH 900V 9A TO220F تحقيق
FR12JR02 Image FR12JR02 DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 تحقيق
FST12045 Image FST12045 DIODE MODULE 45V 120A TO249AB تحقيق
GP2D003A065C Image GP2D003A065C DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO252-2 تحقيق
GSID150A120S6A4 SILICON IGBT MODULES تحقيق
MUR2520 DIODE GEN PURP 200V 25A DO4 تحقيق
سجلات 639
سابق12345678910111213التالينهاية