بطاقة خط

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- شركة Global Power Technologies Group Inc. ("GPTG") التي تأسست في عام 2007 هي شركة تطوير وتصنيع متكاملة مخصصة لمنتجات تعتمد على تقنيات كربيد السيليكون (SiC). وستكون هذه المنتجات مؤسسية لصناعات الطاقة الكهربائية والإلكترونية في السنوات المقبلة حيث تحتاج إلى تقنيات متطورة لتكلفة منخفضة ، وتوليد طاقة عالية الكفاءة ، وتحويل ونقل.
صورة رقم القطعة وصف رأي
1N2135AR DIODE GEN PURP REV 400V 60A DO5 تحقيق
GP2M005A060PG Image GP2M005A060PG MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK تحقيق
S6GR DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4 تحقيق
1N8034-GA Image 1N8034-GA DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 تحقيق
GP2M005A060CG Image GP2M005A060CG MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK تحقيق
GSXF120A100S1-D3 Image GSXF120A100S1-D3 DIODE FAST REC 1000V 120A SOT227 تحقيق
S12MR DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4 تحقيق
S16M DIODE GEN PURP 1KV 16A DO203AA تحقيق
FST160100 Image FST160100 DIODE MODULE 100V 160A TO249AB تحقيق
GP2D060A120U DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 تحقيق
GHIS040A060S-A2 Image GHIS040A060S-A2 IGBT BUCK CHOP 600V 80A SOT227 تحقيق
GP2M005A060FG Image GP2M005A060FG MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F تحقيق
GSXD160A010S1-D3 Image GSXD160A010S1-D3 DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227 تحقيق
GP1M010A080FH Image GP1M010A080FH MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F تحقيق
GP1M003A050PG Image GP1M003A050PG MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK تحقيق
GHXS010A060S-D3 Image GHXS010A060S-D3 DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227 تحقيق
GP2D030A060B Image GP2D030A060B DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247-2 تحقيق
GSXD060A012S1-D3 Image GSXD060A012S1-D3 DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227 تحقيق
FR16DR05 DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4 تحقيق
GP1M006A065PH Image GP1M006A065PH MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK تحقيق
GSXD120A018S1-D3 Image GSXD120A018S1-D3 DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227 تحقيق
GP2M002A065PG Image GP2M002A065PG MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK تحقيق
FR6B02 DIODE GEN PURP 100V 6A DO4 تحقيق
MUR2560R DIODE GEN PURP REV 600V 25A DO4 تحقيق
GKR26/14 Image GKR26/14 DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4 تحقيق
GP2D036A060B DIODE SCHOTTKY 600V 82A TO247-2 تحقيق
GP3D050A120B DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2 تحقيق
GP1M010A080H Image GP1M010A080H MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220 تحقيق
GHIS030A120S-A2 Image GHIS030A120S-A2 IGBT BUCK CHOP 1200V 60A SOT227 تحقيق
S40D DIODE GEN PURP 200V 40A DO5 تحقيق
GP2M009A090FG Image GP2M009A090FG MOSFET N-CH 900V 9A TO220F تحقيق
1N8033-GA Image 1N8033-GA DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 تحقيق
FR12KR05 DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4 تحقيق
GP2M004A065HG Image GP2M004A065HG MOSFET N-CH 650V 4A TO220 تحقيق
GCMS040A120S1-E1 SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C تحقيق
GSXF030A100S1-D3 Image GSXF030A100S1-D3 DIODE FAST REC 1000V 30A SOT227 تحقيق
1N2133AR DIODE GEN PURP REV 300V 60A DO5 تحقيق
GHIS040A060S-A1 Image GHIS040A060S-A1 IGBT BOOST CHOP 600V 80A SOT227 تحقيق
GSXD100A010S1-D3 Image GSXD100A010S1-D3 DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227 تحقيق
GHIS050A060B3P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES تحقيق
GP1M016A060N Image GP1M016A060N MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN تحقيق
FR20AR02 DIODE GEN PURP REV 50V 20A DO5 تحقيق
FR20M05 DIODE GEN PURP 1KV 20A DO5 تحقيق
S12Q Image S12Q DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4 تحقيق
GP2D020A060U DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247 تحقيق
FR6AR05 DIODE GEN PURP REV 50V 16A DO4 تحقيق
1N1183 DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB تحقيق
GSXD100A008S1-D3 Image GSXD100A008S1-D3 DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227 تحقيق
FR6J02 DIODE GEN PURP 600V 6A DO4 تحقيق
GHIS060A120S-A2 Image GHIS060A120S-A2 IGBT BUCK CHOP 1200V 120A SOT227 تحقيق
سجلات 639
سابق12345678910111213التالينهاية